特許

J-GLOBAL ID：200903066831093184

半導体装置

発明者： 岩穴 忠義
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-287864
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114406
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】バイポーラトランジスタのコレクタ、ベースにそれぞれ第一のユニポーラトランジスタのドレイン、ソースを、ベース、エミッタにそれぞれ第二のユニポーラトランジスタのソース、ドレインを接続した半導体装置において、エン電圧の低減を図る。【解決手段】第二のユニポーラトランジスタであるpチャネルMOSトランジスタのソース領域であるpベース領域4とp+ ドレイン領域5内にそれぞれn+ 補助ソース領域6a、6bを形成し、nチャネルMOSトランジスタUT21、UT22を構成する。nチャネルMOSトランジスタUT21は、第一のユニポーラトランジスタであるnチャネルMOSトランジスタUT1と並列の縦型MOSFETとなり、バイポーラトランジスタBT1のベース電流を供給する。nチャネルMOSトランジスタUT22は、バイポーラトランジスタBT1と並列の縦型MOSFETとなる。

請求項（抜粋）：

前段の第一のユニポーラトランジスタと、後段のバイポーラトランジスタと、第二のユニポーラトランジスタとを有し、第一のユニポーラトランジスタのドレインとソースとをそれぞれバイポーラトランジスタのコレクタ、ベースに接続し、かつ、第二のユニポーラトランジスタのドレインとソースとをそれぞれバイポーラトランジスタのエミッタ、ベースに接続した半導体装置において、バイポーラトランジスタのコレクタ、第二のユニポーラトランジスタのソースにそれぞれドレイン、ソースを接続する第一の補助ユニポーラトランジスタまたはバイポーラトランジスタのコレクタ、第二のユニポーラトランジスタのドレインにそれぞれドレイン、ソースを接続する第二の補助ユニポーラトランジスタの少なくとも一方を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 29/78 ,  H03K 17/567 ,  H03K 19/08

FI (6件)：

H01L 27/06 321 G ,  H03K 19/08 A ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 29/78 656 A ,  H01L 29/78 657 G ,  H03K 17/56 E

Fターム (49件)：

5F048AA01 ,  5F048AA10 ,  5F048AB10 ,  5F048AC07 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BC07 ,  5F048BC20 ,  5F048BE06 ,  5F048BF02 ,  5F048CA03 ,  5F048DA08 ,  5F048DA10 ,  5F048DA13 ,  5F082AA03 ,  5F082AA04 ,  5F082AA16 ,  5F082BA22 ,  5F082BA27 ,  5F082BA47 ,  5F082BC09 ,  5F082EA03 ,  5F082EA22 ,  5F082FA02 ,  5F082FA20 ,  5F082GA04 ,  5J055AX05 ,  5J055BX16 ,  5J055CX00 ,  5J055DX04 ,  5J055DX75 ,  5J055EX07 ,  5J055EY21 ,  5J055GX01 ,  5J055GX06 ,  5J055GX07 ,  5J056AA04 ,  5J056BB01 ,  5J056BB07 ,  5J056BB57 ,  5J056BB59 ,  5J056CC22 ,  5J056DD02 ,  5J056DD13 ,  5J056DD23 ,  5J056DD39 ,  5J056FF08 ,  5J056KK02