特許

J-GLOBAL ID：200903066832120347

半導体装置の製造方法

発明者： 大塚 達也 ,  安井 優
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴイエルエスアイ株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-021306
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102101
出願日： 1991年02月15日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 フロロカーボン系ガスを用いたドライエッチング処理後のカーボン系ポリマの除去方法に関し、カーボン系ポリマ層を効率よく完全に除去する方法を提供することを目的とする。【構成】 ドライエッチング後の被処理物を一酸化窒素(NO)のプラズマ中に存在するNOまたはO ラジカル (NO*, またはO *) , およびNOイオンまたはO イオン(NO+, またはO +) によりアッシング処理を行い, かつ該処理中に該被処理物を紫外光を照射するように構成する。前記プラズマを(A) ECR 放電 (または(B)μ波または(C) RF励起) により発生させ,(A) 発散磁場(または(B) ダウンフロー)により該プラズマより引出した(または(C) 該プラズマ中の)ラジカルおよびイオンによりアッシング処理を行うように構成する。

請求項（抜粋）：

ドライエッチング後の被処理物を一酸化窒素(NO)のプラズマ中に存在するNOラジカル (NO*) およびNOイオン (NO+) によりアッシング処理を行い, かつ該処理中に該被処理物に紫外光を照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。