特許

J-GLOBAL ID：200903066833799939

III-V族半導体材料

発明者： 清水 三郎 ,  園田 早紀
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-329166
公開番号（公開出願番号）：特開2003-137698
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【課題】常温で強磁性を示すIII-V族希薄磁性半導体を提供する。【解決手段】GaNに、Mnと酸素を、それぞれ0.5〜15at%の範囲と1×1018〜3×1020個cm-3以下の範囲で含有させる。Mnが浅いアクセプタレベルを形成し、GaNがp型を示す。このGaNは室温において強磁性を示す。酸素に替えてシリコンを含有させたり、又は酸素と共にシリコンを含有させてもよい。

請求項（抜粋）：

III族元素としてガリウムを主成分とし、V族元素として窒素を主成分とするIII-V族半導体材料であって、マンガンを0.5at%以上15at%以下の範囲で含有し、酸素原子を1×1018個cm-3以上3×1020個cm-3以下の濃度範囲で含有するIII-V族半導体材料。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  H01F 10/193 ,  H01L 33/00 ,  H01L 43/08 ,  H01S 5/323 610

FI (5件)：

C30B 29/38 D ,  H01F 10/193 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 43/08 M ,  H01S 5/323 610

Fターム (21件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077EB01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA20 ,  4G077SC02 ,  4G077SC08 ,  5E049AA10 ,  5F041AA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F073CA01 ,  5F073DA06 ,  5F073DA11 ,  5F073EA29