特許

J-GLOBAL ID：200903066842100727

高透磁率金属又は合金の研削微細箔帯及びその成形体

発明者： 上島 徳夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-153794
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329818
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 高周波で渦電流損失の少なく透磁率が低下しない高透磁率金属又は合金の研削微細箔帯及びその成形体を提供する。【解決手段】 微細箔帯の95%以上が厚さ5μm以下で、平均厚さが3μm以下、幅方向のアスペクト比が平均で3以上、長さ方向のアスペクト比が平均で20以上である高周波で高い透磁率を有する高透磁率金属又は合金の研削微細箔帯であり、またその成形体で、その成形体がバインダーを含ているもの、成形体に含まれている高透磁率金属又は合金微細箔帯が、成形体の一方向に揃っているものである。

請求項（抜粋）：

高透磁率金属又は合金の塊を研削加工することによって得られた研削微細箔帯であって、微細箔帯の95%以上が厚さ5μm以下で、平均厚さが3μm以下、幅方向のアスペクト比が平均で3以上、長さ方向のアスペクト比が平均で20以上である高周波で高い透磁率を有することを特徴とする高透磁率金属又は合金の研削微細箔帯。

IPC (3件)：

H01F 1/16 ,  C22C 38/00 303 ,  C22C 38/06

FI (3件)：

H01F 1/16 A ,  C22C 38/00 303 T ,  C22C 38/06