特許
J-GLOBAL ID：200903066848824549
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077523
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037285
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 データの消去、書き換えのできる浮遊ゲートを有するメモリセルのソースに消去電圧を与えるに当たり、消去電圧の立ち上がり時間を制御したり段階的に電圧を上昇させることにより、メモリセルの消去特性を向上する。【構成】 浮遊ゲートにより電気的にデータの書き込み消去のできる複数のメモリセルを配列したメモリセルアレイのメモリセルのデータ消去を行なうべく前記メモリセルのソースに立ち上がり時間を制御された高電圧を供給する消去制御手段37を備え、消去制御手段37により立ち上がり時間をある時間に制御され一定の時間を経て所定の高電圧に達するような電圧をメモリセルのソースに供給することによりデータの消去を行なう。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートを有し、電気的にデータの書き込み、消去のできるメモリセルの複数を配列したメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイ中の特定の前記メモリセルを選択するデコーダ手段と、前記メモリセルのデータ消去を行なう際に、前記メモリセルのソースに、低電圧から高電圧に至るまでの立ち上がり時間の制御された消去電圧を供給する消去電圧印加手段と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, G11C 16/06
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 309 C
, H01L 29/78 371
