特許

J-GLOBAL ID：200903066850219156

熱処理装置

発明者： 半田 達也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000126
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334819
出願日： 2002年01月04日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの温度分布の均一性を向上させ,これにより半導体ウエハなどの被処理体に形成する薄膜の膜厚分布の均一性を向上させる。【解決手段】 処理ガスが供給される処理容器内のサセプタ30上に半導体ウエハWを載置し,加熱ランプからの熱線によりサセプタを介して半導体ウエハを加熱する熱処理装置において,サセプタ30に内蔵する温度センサ92,93などの異種部材と同程度又はそれ以下の熱線透過率を有する材料でサセプタを構成した。これにより,透過率の低い異種部材とサセプタとの温度差を少なくすることができるので,半導体ウエハの温度分布の均一性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

処理ガスが供給される処理容器内の受光発熱体上に被処理体を載置し、熱源からの熱線により前記受光発熱体を介して前記被処理体を加熱する熱処理装置において,前記受光発熱体に内蔵する異種部材と同程度又はそれ以下の熱線透過率を有する材料で受光発熱体を構成したことを特徴とする熱処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/02 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/285

FI (5件)：

H01L 21/02 Z ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/26 Q

Fターム (34件)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104FF18 ,  4M104HH20 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EF05 ,  5F045EK13 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10 ,  5F045GB05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-120814