特許

J-GLOBAL ID：200903066851185581

ウェット処理装置

発明者： 渡邉 和廣 ,  藤井 幹夫 ,  石田 幸政 ,  木原 正博 ,  濱田 克美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-306285
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148299
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】本発明は各種エレクトロニクス製品の基板をウェット処理する際に使用するウェット処理装置に関し、簡単な装置構成で基板に対するウェット処理を確実に行うことを課題とする。【解決手段】複数の基板3を縦に保持するカセット7と、このカセット7を装着すると共に基板3に対しウェット処理を行う処理液が導入される処理槽5とを具備するウェット処理装置において、前記カセット7の底面部19に処理液導入口9から導入される処理液をカセット内部に流入させるスリット20を形成し、かつ処理槽5にカセット7を保持すると共に処理液がカセット内に流入するよう処理液の流れを案内するカセット保持部13を設ける。

請求項（抜粋）：

複数の基板を縦に保持するカセットと、前記カセットを装着すると共に前記基板に対しウェット処理を行う処理液が導入される処理槽とを具備するウェット処理装置であって、前記カセットの底面部に前記処理液導入口から導入される処理液を前記カセットの内部に流入させるスリットを形成し、かつ、前記処理槽に前記処理槽の処理液導入口に前記カセットの底面部を保持すると共に前記処理液が前記カセット内に流入するよう前記処理液の流れを案内する保持部を設けたことを特徴とするウェット処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  B65D 85/86 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/68

FI (7件)：

H01L 21/306 J ,  H01L 21/304 341 T ,  H01L 21/316 T ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/68 T ,  B65D 85/38 R ,  H01L 21/306 K