特許

J-GLOBAL ID：200903066856628937

ダミーウェハー

発明者： 辰巳 良昭 ,  宮下 欣也
出願人/特許権者： 辰巳 良昭 ,  宮下 欣也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-218897
公開番号（公開出願番号）：特開平11-029880
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体デバイスの製造工程で使用されるダミーウェハーに関するものであり、さらに詳しくは高耐久性・高機能性を有する絶縁材料上に導電層を形成することにより、静電チャックによる吸着が可能なダミーウェハーを提供することを目的とする。【構成】窒化アルミニウム、アルミナ、または石英のいずれかの絶縁体からなる基板?@の片面上に、シリコン、炭化ケイ素、アモルファスカーボン、またはD.L.C.(ダイヤモンド・ライク・カーボン)のいずれかよりなる導電層?Aを形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁体からなる基板の片面上に導電膜を形成したことを特徴とするダミーウェハー。

IPC (4件)：

C23C 30/00 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

C23C 30/00 C ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/68 R