特許

J-GLOBAL ID：200903066858510062

面発光半導体レーザ

発明者： 笠原 健一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010577
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224515
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 面発光半導体レーザの偏波面を一方向に制御できる面発光半導体レーザを提供する。【構成】 メサのx軸方向、y軸方向の側壁に、異なる温度でSiN膜を、堆積する。この場合、x軸方向の側壁のSiN膜191を、y方向の側壁のSiN膜192よりも高い温度で堆積する。SiNの熱膨張係数は、GaAs系半導体のそれよりも小さいので、室温では活性層に対するx軸方向への引っ張り応力がy軸方向よりも大きくなる。その結果、y軸方向に偏波面が揃う。

請求項（抜粋）：

第一導伝型の第1クラッド層、活性層、第二導伝型の第2クラッド層を含むメサ構造を半導体基板上に有し、基板と垂直方向に光を出す面発光半導体レーザにおいて、対向する一組の前記メサの側面に第1の温度条件で形成された第1の絶縁膜を有し、前記一組の側面とは別の一組の前記メサの側面に、前記第1の温度条件とは異なる温度条件で形成された第2の絶縁膜を有することを特徴とする面発光半導体レーザ。