特許
J-GLOBAL ID：200903066858629132
シリコン窒化膜のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349325
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204192
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】シリコン基体やシリコン酸化膜に対してシリコン窒化膜を選択的にエッチング除去できるシリコン窒化膜の処理方法を提供すること。【構成】シリコン基板11上に形成されたシリコン窒化膜12をエッチング除去する際に、シリコン基板11が収容されたチェンバとは別領域の放電管で生成されたCF4 とO2 との混合ガスのラジカル並びにH2 Oとを上記チェンバ内に導入し、シリコン基板11に対してシリコン窒化膜12を選択的にエッチング除去することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン基体上に形成されたシリコン窒化膜の一部又はその全てをエッチング除去する際に、前記シリコン基体が収容されている領域とは別の領域で生成されたフッ素と水素と酸素とのうちの少なくとも1つのラジカルを含む第1のガスと、フッ素と水素と酸素とのうち前記ラジカル以外の元素を少なくとも含む第2のガスとを、前記シリコン基体が収容されている領域に導入することにより、前記シリコン窒化膜の一部又はその全てを前記シリコン基体に対して選択的にエッチング除去することを特徴とするシリコン窒化膜のエッチング方法。
引用特許：
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