特許
J-GLOBAL ID：200903066859017491
強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087119
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285415
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】強磁性トンネル接合による磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ得る素子を製造する方法の提供。【解決手段】(1)蒸着によりアルミニウム層を形成させ、これを酸素を含む雰囲気中で反応性プラズマにより酸化させて絶縁体層とし強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子を製造する。(2)絶縁体層となるアルミニウム層を蒸着させる第一の強磁性体層を、スパッタ法にて成膜し、そこへ(1)の方法にて絶縁体層形成させ、上記素子を製造する。
請求項（抜粋）：
第一の強磁性体層、絶縁体層、および第二の強磁性体層からなる絶縁体層接合部のトンネル効果を利用する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、絶縁体層として、蒸着によりアルミニウム層を形成させ、これを酸素を含む雰囲気中でプラズマにより酸化させることを特徴とする強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法。
Fターム (3件)：
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034DA07
