特許
J-GLOBAL ID:200903066859557151
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-137121
公開番号(公開出願番号):特開2002-334964
出願日: 2001年05月08日
公開日(公表日): 2002年11月22日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体装置の実装強度向上と半田ブリッジ抑止を達成できる半導体装置を提供する。【解決手段】 パッケージ2と、パッケージ2の周囲から延在する複数のリード3とを有し、リード3は途中で一段屈曲してその先端は配線基板のランドに重なる構造のリードフット部4を構成してなる半導体装置1であって、リードフット部4の前記ランドに対面する部分から前記ランドから遠ざかる立ち上がり部分4bにかけて前記ランドにリードフット部4を接続する半田を毛細管現象によって吸い上げることができる溝5が設けられている。
請求項(抜粋):
パッケージと、前記パッケージの周囲から延在する複数のリードとを有し、前記リードは途中で一段屈曲してその先端は配線基板のランドに重なる構造のリードフット部を構成してなる半導体装置であって、前記リードフット部の前記ランドに対面する部分から前記ランドから遠ざかる立ち上がり部分に掛けて前記ランドにリードフット部を接続する半田を毛細管現象によって吸い上げることができる溝が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 23/50 N
, H05K 1/18 H
Fターム (12件):
5E336AA04
, 5E336CC02
, 5E336CC06
, 5E336CC07
, 5E336CC10
, 5E336CC55
, 5E336DD04
, 5E336EE01
, 5E336GG05
, 5E336GG14
, 5F067AA15
, 5F067BC07
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