特許

J-GLOBAL ID：200903066859923395

GaAs系半導体電界効果トランジスタ

発明者： 工藤 昭吉
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206165
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023015
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 GaAs系半導体電界効果トランジスタにおけるパルス遅延現象(ゲートラグ)を低減するとともに、ゲート耐圧制御性や雑音特性等のトランジスタ諸特性の向上に関する手法を提供する。【解決手段】 ゲート電極に入力される信号によりソース電極とドレイン電極との間の電子の移動を制御するGaAs系半導体電界効果トランジスタにおいて、GaAs系半導体からなる活性層と、活性層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間の活性層上に設けられたゲート電極とを含み、活性層上のGaAs系半導体の酸化物の膜厚が、GaAs系半導体の格子定数と略等しい。

請求項（抜粋）：

ゲート電極に入力される信号によりソース電極とドレイン電極との間の電子の移動を制御する半導体電界効果トランジスタであって、GaAs系半導体からなる活性層と、該活性層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、該ソース電極及び該ドレイン電極の間の該活性層上に設けられたゲート電極とを含み、該活性層上のGaAs系半導体の酸化物の膜厚が、該GaAs系半導体の格子定数と略等しいことを特徴とするGaAs系半導体電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/46 H

Fターム (25件)：

4M104AA05 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GM05 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01