特許
J-GLOBAL ID：200903066863208170
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055064
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094492
出願日： 1994年03月01日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 これまで微細加工が極めて困難であった白金、銅等の貴金属薄膜のドライエッチングにおいて、高異方性エッチングを容易に実現する。【構成】 銅膜等の微細加工において、塩素等のハロゲンガス、ヘキサフルオロアセチルアセトン(hfac)などのβ-ジケトン、ハロゲン化合物に対し還元性のあるアンモニア等を含むガスを用いてドライエッチングする。その際、プラズマはパルス変調放電で生成し、ハロゲンガスの供給はパルス変調放電に同調させるように行う。またパルス幅は、銅膜中のハロゲン元素の拡散によりサイドエッチングが入らないように設定する。銅膜の表面には、ハロゲン元素によりハロゲン化合物が形成され、さらに還元性ガス、β-ジケトンとハロゲン化合物の反応により飽和蒸気圧の高い銅錯体が形成・蒸発する。以上のサイクルを銅膜が完全にエッチング除去されるまで繰り返す。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された貴金属薄膜を、ドライエッチング法により所望パターンに加工する薄膜パターン形成方法において、貴金属薄膜上にエッチングマスクパターンを形成する工程と、次いでフッ素、塩素、臭素または沃素を少なくともひとつ含むハロゲン系ガスと、前記貴金属と金属錯体を形成するβ-ジケトンと、ハロゲン化合物に対して還元性のあるガスとの存在下で前記貴金属薄膜をドライエッチングする工程とを備えてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/3205
