特許
J-GLOBAL ID：200903066874192933
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347855
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151628
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 小型化が可能で、丈夫で扱い易いやすいという利点を備えつつ、構造が単純で低価格であり、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基材1と、この上に塗布された熱可塑性樹脂2と、熱可塑性樹脂2により固定された半導体素子3と、熱可塑性樹脂2及び絶縁基材1を貫通する金属配線4と、封止樹脂5と、金属球部4bに接続された金属バンプ6とを有し、金属配線4の一端4aは、半導体素子3の電極部3aに接合され、他端は絶縁基材1の半導体素子3の備えられていない側において絶縁基材1に埋め込まれた金属球部4bであり、金属球部4bは金属バンプ6に接続されている。
請求項（抜粋）：
絶縁基材と、上記絶縁基材上に備えられた熱可塑性樹脂と、電極部を有し、上記熱可塑性樹脂により上記絶縁基材に固定された半導体素子と、上記熱可塑性樹脂及び上記絶縁基材を貫通し、一端が上記半導体素子の電極部に接合され、他端が上記絶縁基材の上記半導体素子の備えられていない側において上記絶縁基材に埋められた金属球部である金属配線と、上記金属配線を上記絶縁基材の上記半導体素子を備えた側において封止する封止樹脂と、上記金属球部に接続された金属バンプとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 501
, H01L 21/60 301
, H01L 21/60
H01L 23/12 501 W
, H01L 21/60 301 Z
, H01L 21/60 301 G
5F044AA00
, 5F044AA07
, 5F044BB01
, 5F044CC00
, 5F044JJ03
