特許

J-GLOBAL ID：200903066880460265

バイア及びコンタクトのシーケンシャルスパッタ及び反応性プリクリーニング

発明者： バーニー エム. コーエン ,  スラジュ レンガラジャン ,  シャンビン リー ,  ケニー キング-タイ ヌギャン ,  ぺジャン ディン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-138942
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085331
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、一般には、パターニングされた誘電体層上へ堆積されるメタルの充填及びその電気性能を改善するための方法を提供する。【解決手段】 アルゴンを必須として構成される第一プラズマを有する処理チャンバ内において、パターニングされた誘電体層をクリーニングすること(212)、水素とヘリウムを必須として構成される第二プラズマを有する処理チャンバ内で、パターニングされた誘電体層をクリーニングすること(215)、誘電体層を第一プラズマ及び第二プラズマへ曝露した後に、パターニングされた誘電体層上へバリア層を堆積すること(220)、及びバリア層上にメタルを堆積すること、を提供する。更に、シーケンシャルプラズマ処理が、統合プロセスシーケンスの種々のプラズマ処理チャンバ内で実施可能であり、それら処理チャンバには、プリクリーニングチャンバ、PVDチャンバ、エッチングチャンバ、及び他のプラズマ処理処理チャンバがある。

請求項（抜粋）：

パターニングされた誘電体層上へのメタル堆積を改良するための方法であって、a)主としてアルゴンを含む第一プラズマにより、処理チャンバ内で前記パターニングされた誘電体層をクリーニングすること、及び、b)水素とヘリウムを必須として構成される第二プラズマにより、前記処理チャンバ内で前記パターニングされた誘電体層をクリーニングすること、を含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N