両極性発光電界効果トランジスタ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小谷悦司 , 伊藤孝夫 , 樋口次郎 , 櫻井智
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-548404
公開番号（公開出願番号）：特表2007-523446
出願日： 2005年01月17日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

トランジスタのチャネル長を規定する長さLによって分離される電子注入電極及び正孔注入電極と接触する有機半導体層を備え、発光元の有機半導体層の領域は、電子注入電極及び正孔注入電極の両方からL/10より離れている両極性発光トランジスタ。

請求項（抜粋）：

電子親和力がEAsemicondである有機半導体層と、前記半導体層と界面を形成する有機ゲート誘電体層とを備える発光電界効果トランジスタであって、前記ゲート誘電体層中のトラッピング基のバルク濃度が1018cm-3未満であり、この場合、トラッピング基は、(i)EAsemicond以上の電子親和力EAxおよび/または(ii)(EAsemicond.-2eV)以上の反応性電子親和力EArxnを持つ基であり、負の電子が電子注入電極から有機半導体層へと注入され、そして、正の正孔が正孔注入電極から有機半導体層へと注入されるバイアスレジーム(biasing regime)で作動されると光を発光することができることを特徴とする、発光電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H05B 33/26 , H01L 29/786 , H01L 51/50 , H05B 33/22 , H05B 33/10

FI (8件)：

H05B33/26 Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 622 , H01L29/78 617T , H01L29/78 613A , H05B33/14 A , H05B33/22 Z , H05B33/10

Fターム (54件)：

3K107AA02 , 3K107BB01 , 3K107CC01 , 3K107CC11 , 3K107DD25 , 3K107DD30 , 3K107DD37 , 3K107DD60 , 3K107DD91 , 3K107DD96 , 3K107FF14 , 3K107FF15 , 3K107FF19 , 3K107GG04 , 3K107GG07 , 3K107GG12 , 3K107GG28 , 3K107HH00 , 5F110AA04 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB13 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (3件)

N-チャネルトランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-548405 出願人：ケンブリッジエンタープライズリミティド
電界効果トランジスタを含む装置および情報を電子的に蓄積および読み出す方法および複数のメモリセルを含むメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-161699 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-064799 出願人：三菱化学株式会社

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