特許

J-GLOBAL ID：200903066887186746

半導体ウェーハーの研磨方法及び研磨剤

発明者： 鹿島 吉恭 ,  高木 宏行 ,  大沢 則和
出願人/特許権者： 日産化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-311504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-150334
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】【課題】 コロイダルシリカで半導体ウェーハーを鏡面状にまで研磨する方法において、研磨速度を著しく向上せしめる如き研磨方法及び研磨剤を提供すること。【解決手段】 7〜1000 nm の長径と0.3〜0.8 の短径/長径を有する歪な形状を有するコロイダルシリカからなる研磨剤で半導体ウェーハーを研磨する方法、及びその研磨剤。

請求項（抜粋）：

7〜1000 nm の長径と 0.3〜0.8 の短径/長径比を有するコロイダルシリカ粒子の数が全粒子中50%以上を占めるコロイダルシリカで研磨することを特徴とする半導体ウェーハーの研磨方法。

IPC (4件)：

B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 D ,  H01L 21/304 622 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-294515
  
• 特開平4-214022