プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000622
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186100
出願日： 1995年01月06日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】被処理基体の中央部と周辺部で電界強度を略等しくすることができ、均一なエッチングを行い得るプラズマ処理装置を提供すること。【構成】被処理基板17が載置される電極15を収容した容器11と、この容器11内に反応性ガスを導入するためのガス導入口12と、容器11内のガスを排気するためのガス排気口13と、電極15に高周波電力を印加するための高周波電源14とを備え、容器11内にプラズマを発生させて基板17をエッチングするプラズマ処理装置において、電極15は平板体の中央部に基板設置領域となる凸部を形成してなり、この凸部表面以外が絶縁カバー16で覆われており、かつ電極15の凸部は基板17よりも僅かに小さく、該凸部の全体が基板17により覆われることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被処理基体が載置される電極を収容した容器と、この容器内に所定のガスを導入する手段と、前記容器内のガスを排気する手段と、前記電極に高周波電力を印加する手段とを備え、容器内にプラズマを発生させて被処理基体をエッチング若しくは被処理基体上に膜を形成するプラズマ処理装置において、前記電極の被処理基体設置領域外を覆うように絶縁カバーが設けられ、かつ前記電極の被処理基体設置領域は被処理基体よりも僅かに小さく、該領域の全体が被処理基体により覆われることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭61-267326
特開平2-130823
特開平3-177020

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