特許

J-GLOBAL ID：200903066889630163

半導体装置

発明者： 大田 英明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010448
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089893
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】プラズマ窒化膜を用いた層間絶縁膜は、平坦性をよくするために膜厚を厚くするとその内部応力が大きくなるために亀裂が入りやすくなる。よって内部応力の低減化を図り、層間絶縁膜を厚くできるようにする。【構成】層間絶縁膜の構成をプラズマ窒化膜や酸化珪素膜というように内部応力が引張り応力と圧縮応力である絶縁膜を2層以上積層形成して内部応力の低減化を行なう。

請求項（抜粋）：

絶縁膜として内部応力が引張り応力と圧縮応力の応力のかかる方向の異なる2種類の絶縁物を用いたことを特徴とする半導体装置

IPC (4件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-154133
  
• 特開平1-207932
  
• 特開昭61-279132
  
• 特開昭62-137855