特許

J-GLOBAL ID：200903066892544227

太陽電池

発明者： 大塚 寛之 ,  矢澤 義昭 ,  北谷 健 ,  蕨迫 光紀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020530
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220150
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】多重量子井戸層内におけるキャリヤ再結合を防止するとともに、多重量子井戸層の直列抵抗の上昇を防止して、太陽電池の出力特性を向上させる。【解決手段】多重量子井戸層の障壁層と井戸層あるいは障壁層のみに不純物をドープして、P型半導体層から多重井戸層の中心付近に向かって不純物濃度を連続的あるいは層毎に階段状に低下させ、続いてN型半導体層に向かって不純物濃度を連続的、あるいは層毎に階段状に高くする。【効果】多重量子井戸層内におけるキャリヤの再結合が低減し、開放電圧が向上する。また、直列抵抗が軽減してフィルファクタが向上し、結果的にエネルギー変換効率が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順次積層して形成された第1導伝型を有する第1の半導体層、多重井戸層および上記第1導伝型とは逆の第2導伝型を有する第2の半導体層を有し、上記多重井戸層は、第1のバンドギャップを有する半導体からなる障壁層と上記第1のバンド層ギャップより小さい第2のバンドギャップを有する半導体からなる井戸層が複数回交互に積層されて形成され、かつ上記多重井戸層における上記第1導伝型を有する不純物の濃度は、上記多重井戸層と上記第1の半導体層が接する部分から上記多重井戸層の厚さ方向の所定の位置へ向かって順次低くなり、上記第2導伝型を有する不純物の濃度は、上記多重井戸層の厚さ方向における所定の位置から上記第2の半導体層へ向かって順次高くなることを特徴とする太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-096388   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭62-165375
  
• 特開昭63-040382
  
• 特開昭63-222470