特許

J-GLOBAL ID：200903066896711470

太陽電池素子の製造方法

発明者： 藤井 修一 ,  福井 健次 ,  白沢 勝彦
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017088
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214723
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 浅いN層上に電極を形成すると電極材料中のガラスフフリットがN層中に侵入してN層を突き抜け、太陽電池を形成した場合にリーク電流が発生するという問題があった。【解決手段】 P型シリコン基板の一主面側にN層と表面電極を形成すると共に、他の主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記シリコン基板の一主面側にN層を形成する際に生成する燐ガラス層を残したまま電極材料を塗布して焼き付けることによって前記表面電極を形成する。

請求項（抜粋）：

P型シリコン基板の一主面側にN層と表面電極を形成すると共に、他の主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記シリコン基板の一主面側にN層を形成する際に生成する燐ガラス層を残したまま電極材料を塗布して焼き付けることによって前記表面電極を形成することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。