特許
J-GLOBAL ID：200903066898108275
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-121282
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243215
出願日： 2007年05月01日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】WLCSPとして製造される半導体装置において、半導体チップにおいて発生する熱を外方に効率よく放出できる手段を提供する。【解決手段】パッド電極21を形成した半導体チップ3と、パッド電極21を避けて半導体チップ3の表面に配された第1の絶縁層5と、半導体チップ3の表面側に位置する接続電極部7及び放熱用電極部9と、第1の絶縁層5の表面に配され、パッド電極21及び接続電極部7を相互に電気接続する第1の配線部13と、放熱用電極部9に接続する第2の配線部18と、電極部7,9を半導体チップ3の表面側に露出させて、電極部7,9及び配線部を封止する第2の絶縁層17とを備え、第2の配線部が、半導体チップ3の発熱部分に隣接し、第1の配線部13の配置領域を除く第1の絶縁層5の表面の領域に配され、さらに、第1の絶縁層5によって半導体チップ3の表面と電気的に絶縁されている半導体装置を提供する。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
略板状に形成された半導体基板と、
該半導体基板の表面を被覆する第1の絶縁膜と、
該第1の絶縁膜上に形成されたパッド電極と、
前記第1の絶縁膜上に順次重ねて配されると共に、前記パッド電極を露出させる第1の凹部を形成した第2の絶縁膜及び第3の絶縁膜と、
電気的な絶縁材料から形成され、前記パッド電極を避けて前記第3の絶縁膜の表面に配されると共に前記第1の凹部の側壁面を覆うように形成されて、前記パッド電極を露出させる第2の凹部を有する第1の絶縁層と、
前記第2の絶縁膜の表面側に位置し、前記半導体チップを外部回路に接続するための接続電極部と、
前記第2の絶縁膜の表面側に位置し、外部回路に接続する少なくとも1つの放熱用電極部と、
前記第1の絶縁層の表面に配され、前記パッド電極及び接続電極部を相互に電気接続する第1の配線部と、
前記第1の絶縁層の表面に配され、前記放熱用電極部に接続する第2の配線部と、
電気的な絶縁材料から形成され、少なくとも前記接続電極部及び放熱用電極部を前記第2の絶縁膜の表面側に露出させた状態で、前記接続電極部、放熱用電極部及び配線部を封止する第2の絶縁層とを備え、
前記第2の配線部が、前記半導体基板の発熱部分に隣接し、かつ、前記第1の絶縁層の表面のうち前記第1の配線部の配置領域を除く領域に配され、さらに、前記絶縁膜及び前記第1の絶縁層によって前記半導体基板の表面と電気的に絶縁されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501P
, H01L23/34 A
