特許

J-GLOBAL ID：200903066900618936

半導体エピタキシャル基板および半導体素子

発明者： 秦 雅彦 ,  福原 昇 ,  高田 裕章 ,  乾 勝美
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-172434
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078761
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】周期的段差構造を有し、その段差構造が原子スケールで平坦な面を有し、清浄なヘテロエピタキシャル界面である半導体エピタキシャル基板およびそれを用いた半導体素子を提供する。【構成】半導体単結晶基板が(100)面から1 ゚以上10 ゚以下の傾きである面を有する半導体単結晶基板1の上にエピタキシャル結晶が2つ以上の層で構成され、少なくとも1つのエピタキシャル結晶層2,4が、上および/または下に隣接する他のエピタキシャル結晶層3よりも格子定数が0.5%以上大きく、かつエネルギーギャップが30meV以上小さく、エピタキシャル結晶層3が、基板面の(100)面からの傾き方向に実質的に垂直に配列した、段差の周期が10〜500nm、段差の高低差が2〜20nmの周期的段差構造を有し、段差の1つの面が(100)面である。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板上にエピタキシャル成長によって層を形成した半導体エピタキシャル基板において、該半導体単結晶基板が(100)面から1 ゚以上10 ゚以下の傾きである面を有する半導体単結晶基板であって、該基板の上にエピタキシャル成長によって形成されるエピタキシャル結晶が2つ以上の層で構成され、少なくとも1つのエピタキシャル結晶層が、上および/または下に隣接する他のエピタキシャル結晶層よりも格子定数が0.5%以上大きく、かつエネルギーギャップが30meV以上小さく、さらに前記の少なくとも1つのエピタキシャル結晶層が、基板面の(100)面からの傾き方向に実質的に垂直に配列した、段差の周期が10〜500nm、段差の高低差が2〜20nmである周期的な段差構造を有しており、かつその段差の1つの面が実質的に(100)面であることを特徴とする半導体エピタキシャル基板。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812