特許

J-GLOBAL ID：200903066901264666

熱処理装置

発明者： 清水 正裕
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-059148
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261038
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、被処理体の急速昇温を可能にすると共に経済性に優れた熱処理装置を提供する。【解決手段】 本発明の一側面としての熱処理装置は、被処理体に熱処理を行う処理室と、前記被処理体に赤外光を照射して加熱する光源と、前記処理室に気密的に取り付けられ当該処理室を画定するとともに、当該処理室の外部より前記被処理体に前記赤外光を照射可能なウインドウであって、石英の透過波長より長い波長を透過可能とする光学結晶から形成される前記ウインドウとを有し、前記被処理体はBulk-Siウェハ又はSOIウェハである。

請求項（抜粋）：

被処理体に熱処理を行う処理室と、前記被処理体に赤外光を照射して加熱する光源と、前記処理室に気密的に取り付けられ当該処理室を画定するとともに、当該処理室の外部より前記被処理体に前記赤外光を照射可能なウインドウであって、石英の透過波長より長い波長を透過可能とする光学結晶から形成される前記ウインドウとを有し、前記被処理体はBulk-Siウェハ又はSOIウェハである熱処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/12

FI (6件)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 21/26 J ,  H01L 21/26 G ,  H01L 21/302 B

Fターム (15件)：

5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB27 ,  5F004BD04 ,  5F045AA03 ,  5F045AA20 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045BB09 ,  5F045EB15 ,  5F045EC03 ,  5F045EK11 ,  5F045GB05