特許
J-GLOBAL ID：200903066901944764
めっき装置及びめっき方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥山 尚男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233771
公開番号（公開出願番号）：特開平11-043800
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 20〜300A/dm2 の高電流密度において高速度めっきができ、めっき中にニッケルイオン濃度とpHを一定に保つことができ、めっき皮膜のひび、われ、こげといっためっき不良をなくし、正常なめっき皮膜の形成ができるようにしためっき装置及びめっき方法を提供する。【解決手段】 アノード室102とカソード室103とをニッケルイオンを透過しないイオン交換膜105によって分離したニッケルイオン補給槽109を少なくとも一以上設けた。
請求項（抜粋）：
アノード室とカソード室とをニッケルイオンを透過しないイオン交換膜によって分離したニッケルイオン補給槽を少なくとも一つ以上設けたことを特徴とするニッケルめっき皮膜を形成するためのめっき装置。
IPC (6件)：
C25D 17/00
, C25D 3/12
, C25D 3/56 101
, C25D 15/02
, C25D 17/10 101
, C25D 21/14
C25D 17/00 H
, C25D 3/12
, C25D 3/56 101
, C25D 15/02 F
, C25D 17/10 101 B
, C25D 21/14 G
