特許

J-GLOBAL ID：200903066907802686

金属/ポリイミド構造体における金属の不動態化

発明者： ジヨン・エドワード・クローニン ,  ポール・オールデン・フアラー・シーニア ,  ハロルド・ジヨージ・リンデ ,  ローズマリー・アン・プレビテイ-ケリー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255636
公開番号（公開出願番号）：特開平6-015770
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1994年01月25日
要約：

【要約】金属パターンを含む半導体基板上のポリイミド層のような、金属/ポリイミド構造体における金属表面の不動態化のための方法を示した。この方法は基板とポリイミド層との間にシルセスキオキサンポリマーの中間的の層を形成することを含んでいる。このシルセスキオキサン層は金属を不動態とし、ポリイミドを形成する際使用されるポリイミドプリカーサ材料と金属との間の相互作用を抑制し、耐湿性でかつ耐酸化性の界面を与えるのである。

請求項（抜粋）：

金属表面をもつ基板の上にポリイミド層を形成するための方法であって:前記基板に対して、溶剤中でアミノアルコキシシランモノマーと水との反応により調製した、有機性溶液を付与し;前記基板を、硬化したシルセスキオキサンポリマーの層を形成するような条件下に加熱して、前記金属を不動態としそして前記金属と塗布されるポリイミドプリカーサ材料間の相互作用が抑制されるようにし;前記硬化された層に対しポリイミドプリカーサ材料からなる溶液を付与し;そして前記基板をポリイミドプリカーサ材料がイミド化するような条件下に加熱する、の各工程から構成される、ポリイミド層の形成方法。

IPC (7件)：

B32B 7/04 ,  B32B 15/08 ,  B32B 31/00 ,  H01L 21/312 ,  H05K 3/28 ,  C08G 73/10 NTF ,  C08J 5/12 CFG