特許

J-GLOBAL ID：200903066915034035

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 早川 利郎 ,  福永 敏明 ,  和田 貢
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139623
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330607
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 Alを含まない活性層材料の使用による長寿命化の効果がより顕著に得られ、そして、長期信頼性もより高い高出力半導体レーザを得る。【解決手段】 少なくとも量子井戸層および光ガイド層を含む活性領域4が、Alを含まないInxGa1-xAsyP1-y(0≦x≦1、0≦y≦1)からなり、そしてクラッド層3、5がAlGaAsからなる半導体レーザにおいて、光ガイド層4a、4cの厚みを少なくとも一方において0.25μm以上とし、光ガイド層4cの上にある上部AlGaAsクラッド層5を一部、光ガイド層4cとの界面まで選択的に除去する。

請求項（抜粋）：

少なくとも量子井戸層および光ガイド層を含む活性領域が、InxGa1-xAsyP1-y(0≦x≦1、0≦y≦1)からなり、クラッド層がAlGaAsからなる半導体レーザにおいて、前記光ガイド層の厚みが少なくとも一方において0.25μm以上とされ、この光ガイド層の上にある上部AlGaAsクラッド層が一部、光ガイド層との界面まで選択的に除去されていることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 歪量子井戸型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-218292   出願人：日本電気株式会社