特許

J-GLOBAL ID：200903066915269199

低速電子線用蛍光体及びその製造方法

発明者： 伊藤 茂生 ,  土岐 均 ,  米沢 禎久
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 西村 教光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324411
公開番号（公開出願番号）：特開平6-172752
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：

【要約】【目的】 低速電子線の射突による発光輝度が高い蛍光体とその製造方法を提供する。【構成】 蛍光体の母体結晶の粒子に、発光中心となる活性剤を50keV以下の注入エネルギでイオン注入する。活性剤は深さ0.5μmよりも浅い範囲に入る。これを900°C、10秒間の短時間でアニールする。このような短時間アニールによれば、イオン注入時に形成された活性剤の分布が熱拡散して深い範囲に広がることがない。従って、発光中心が表面に近い層に集中した蛍光体が得られる。低速電子線の射突によって発光するのは蛍光体の表面に近い部分のみなので、この蛍光体によれば従来よりも高い発光輝度が得られる。

請求項（抜粋）：

蛍光体の母体結晶の表面から深さ0.5μmまでの部分のみに発光中心となる活性剤をドープしたことを特徴とする低速電子線用蛍光体。

IPC (6件)：

C09K 11/08 ,  B01J 19/08 ,  C09K 11/62 CPN ,  C23C 14/48 ,  H01J 31/15 ,  H01J 9/22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-015792
  
• 特開昭60-197788