多結晶シリコン薄膜の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-346879
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173922
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】低温で形成する場合であっても、高い電子移動度を得ることができる多結晶シリコン薄膜の形成方法、その多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタ、及びその薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置を提供する。【解決手段】基板10上にシリコン層14を形成する工程と、シリコン層14上及びシリコン層14側面に保温層18を形成する工程と、シリコン層14に短パルスレーザを照射し、シリコン層14を結晶化する工程とを有している。

請求項（抜粋）：

基板上にシリコン層を形成する工程と、前記シリコン層上及び前記シリコン層側面に保温層を形成する工程と、前記シリコン層に短パルスレーザを照射し、前記シリコン層を結晶化する工程とを有することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , B01J 19/12 , C01B 33/02 , G02F 1/136 500 , H01L 21/324 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 21/20 , B01J 19/12 G , B01J 19/12 B , C01B 33/02 D , C01B 33/02 E , G02F 1/136 500 , H01L 21/324 N , H01L 29/78 627 G

Fターム (67件)：

2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 4G072AA01 , 4G072BB09 , 4G072BB12 , 4G072BB13 , 4G072FF00 , 4G072FF01 , 4G072GG03 , 4G072HH03 , 4G072HH07 , 4G072NN18 , 4G072RR11 , 4G072UU01 , 4G075AA24 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075CA01 , 4G075CA02 , 4G075CA36 , 4G075CA51 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BA02 , 5F052BB07 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA05 , 5F052EA11 , 5F052FA07 , 5F052GB11 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110NN13 , 5F110NN15 , 5F110NN16 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP11 , 5F110PP35 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平3-286519
特開平2-275641

審査官引用 (2件)

特開平3-286519
特開平2-275641

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