メモリ制御回路とメモリ制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-172889
公開番号（公開出願番号）：特開2002-366421
出願日： 2001年06月07日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】メモリの特性に合わせて最適なアクセス速度を設定することが可能なメモリ制御回路及びメモリ制御方法を提供する。【解決手段】例えばメモリ3を交換した時、CPU2からモード信号MODで速度測定モードが指定され、セレクタ30が速度測定部20側に切り替えられる。CPU2からの開始信号STAで、速度測定部20からアドレス信号ADと書込データWDがメモリ3に出力され、特定の番地に予め定められたデータが書き込まれる。次に、メモリ3の特定の番地が読み出され、正しく読み書きができたか否かが判定される。読み書きは速度を順次変えて行われ、最適速度が決定される。応答信号RESはCPU2に出力され、このCPU2からメモリ制御部1のアクセス制御部10内のレジスタに格納される。これにより、通常動作モードにおいて、メモリ3へ最適速度でアクセスすることが可能になる。

請求項（抜粋）：

制御対象のメモリの速度に合わせて、中央処理装置から該メモリに対する読み書きのアクセス速度を制御するメモリ制御回路において、速度測定モードが指定されたときに、前記メモリの所定の番地に予め定められたデータを書き込み、その後、異なる速度で前記番地のデータを読み出して、正常な読み出し動作が可能な最適速度を測定する速度測定部を設けたことを特徴とするメモリ制御回路。

Fターム (1件)：

5B060CC01

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-262434
電子回路の特性値測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-189514 出願人：松下電子工業株式会社
メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-293087 出願人：松下電器産業株式会社

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