特許
J-GLOBAL ID：200903066919834125
赤外線撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307757
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145853
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 各画素に検出された信号を精度良くしかも高速に読み出すことのできる赤外線撮像装置を提供することを目的とする。【構成】 赤外線照射によって焦電素子12に生じた電荷は抵抗13に放電され、赤外線照射は電圧信号に変換される。この検出電圧はPMOSFET15を負荷とする第1のPMOSFET14のゲートに与えられる。また、この第1のソースフォロア回路に隣接し、ダミーセンサ19からの参照電圧が与えられる第2のPMOSFET16および負荷PMOSFET17から構成される第2のソースフォロア回路が対になって設けられている。各ソースフォロア回路出力の差電圧は赤外線照射に対応した値になり、差動増幅器23によって増幅出力される。
請求項（抜粋）：
赤外線の検知を電気信号として出力する複数個の赤外線センサと、これら各赤外線センサの出力電気信号を入力する複数個の第1のトランジスタと、これら各第1のトランジスタと対になって設けられた参照信号を入力する複数個の第2のトランジスタと、これら第1および第2の各トランジスタ対によって構成された各差動回路ごとに設けられた複数個の負荷とを備えて構成され、前記出力電気信号および参照信号の差分に基づいて赤外線を検出することを特徴とする赤外線撮像装置。
IPC (5件)：
H04N 5/33
, G01J 5/02
, H01L 27/14
, H04N 5/225
, H04N 7/18
