特許

J-GLOBAL ID：200903066920228395

リチウム二次電池用電極の製造方法

発明者： 磯村 雅夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003643
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196055
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 集電体となる金属箔12上にプラズマCVD法により、活物質となるシリコン薄膜を形成するリチウム二次電池用電極の製造方法において、金属箔12に対するダメージを抑制して、シリコン薄膜を形成する。【解決手段】 金属箔12の位置における電子密度がプラズマ中で最も電子密度が高い領域の50%未満の電子密度で、かつ金属箔12の位置におけるセルフバイアス電圧が-20V以上となるように、プラズマ発生源から離れた位置に金属箔12を設置し、金属箔12上にシリコン薄膜を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

集電体となる金属箔上にプラズマCVD法により、活物質となるシリコン薄膜を形成するリチウム二次電池用電極の製造方法において、前記金属箔の位置における電子密度がプラズマ中で最も電子密度が高い領域の50%未満の電子密度で、かつ前記金属箔の位置におけるセルフバイアス電圧が-20V以上となるように、プラズマ発生源から離れた位置に前記金属箔を設置し、該金属箔上にシリコン薄膜を形成することを特徴とするリチウム二次電池用電極の製造方法。

IPC (3件)：

H01M 4/04 ,  H01M 4/38 ,  H01M 10/40

FI (3件)：

H01M 4/04 Z ,  H01M 4/38 Z ,  H01M 10/40 Z

Fターム (17件)：

5H003AA08 ,  5H003BA00 ,  5H003BB02 ,  5H003BC05 ,  5H003BD03 ,  5H014AA04 ,  5H014BB00 ,  5H014CC01 ,  5H014EE05 ,  5H014HH01 ,  5H014HH04 ,  5H029AJ14 ,  5H029AL11 ,  5H029AM01 ,  5H029CJ24 ,  5H029CJ28 ,  5H029HJ18