特許
J-GLOBAL ID：200903066920426111
液晶表示装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116337
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321331
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 隣り合うゲート電極どうしの短絡や多結晶シリコン層端部の剥離や薄膜トランジスタの加工精度の低劣化を解消して、高歩留まりで加工性に優れ加工精度が良く、かつ動作特性が良好で信頼性も高い液晶表示装置を実現する。【構成】 多結晶シリコンからなる活性層2および熱酸化膜からなるゲート絶縁膜3と基板1上面との間に、熱酸化に起因した間隙が生じても、その後にゲート電極8形成用のポリシリコン膜を成膜した際のポリシリコン膜の間隙への被着を、その間隙への第2の酸化膜4の充填によって効果的に防ぐことができる。そしてこのように充填された第2の酸化膜4は絶縁性の良好な酸化膜であるから、隣り合うゲート電極8それぞれに接してもそれらが短絡することを防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
対向電極との間で液晶を挟むように対向配置された画素電極と、絶縁性基板の基板面上に多結晶シリコンから形成された活性層および該活性層を被覆するように前記多結晶シリコンの表面を酸化して形成されたゲート絶縁膜を有して前記画素電極に印加する電圧を制御する素子として用いられる薄膜トランジスタ素子とを備えた液晶表示装置において、前記活性層端部の反り上がって前記基板面から離れた部分の前記基板面との間隙に酸化膜が形成されている薄膜トランジスタ素子を具備することを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/13 101
, G02F 1/136 500
