特許

J-GLOBAL ID：200903066920652472

気相反応被膜作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032876
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274036
出願日： 1983年12月27日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 良質な薄膜を形成する時に、大気が反応炉へ逆流することを防止し、また隣接反応炉からの不純物の影響を除くこと。【構成】 ターボ分子ポンプを設けた反応室に、ターボ分子ポンプを設けたバッファ室を接続させて半導体層を形成する。

請求項（抜粋）：

減圧状態に保持された反応系に置かれた基板上に被膜を互いに積層させる方法において、前記被膜を形成させるための反応室に、前記被膜形成中はゲート弁により各反応室から独立させることができる構造のものであって、しかも反応ガス導入手段と、真空または減圧にするための不連続回転方式の真空ポンプ及び連続排気方式のターボ分子ポンプとを備えているものを使用し、かつ反応室には基板移設用のバッファ室が接続されており、また前記バッファ室は反応ガス導入手段と真空または減圧にするための不連続回転方式の真空ポンプ及び連続排気方式のターボ分子ポンプとを備えているものであり、前記反応室を出た基板をバッファ室を介して他の反応室に移動させることにより前記非単結晶半導体層の各々の層を独立の反応室で形成させることを特徴とする気相反応被膜作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/54 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/54 ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭54-153740
  
• 特公昭43-029256