特許
J-GLOBAL ID：200903066923854777
半導体素子およびIII族窒化物超格子構造の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-102248
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298043
出願日： 1998年04月14日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗のp型伝導性薄膜層を用いた高性能半導体素子を可能とすること。【解決手段】 III族窒化物半導体層を含む半導体素子において、III族窒化物の閃亜鉛鉱型層とウルツ鉱型層とでなる超格子構造にアクセプタ不純物を添加したp型伝導性薄膜層をその構造に含むことに特徴を有している。すなわち、裏面に約200nmのSiO2 をスッパッタリングにより堆積したGaAs基板9、厚さ約10nmのSiドープGaN緩衝層10、厚さ1μmのSiドープn型Al0.15Ga0.85Nクラッド層11、厚さ0.2μmのノンドープGaN活性層12、膜厚0.3μmのMgドープp型Al0.15Ga0.85Nクラッド層13、膜厚1μmのMgドープp型GaNコンタクト層14からなるヘテロ構造である。クラッド層13、コンタクト層14を堆積する過程では原料以外にPH3を流した。
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体層を含む半導体素子において、III族窒化物の閃亜鉛鉱型層とウルツ鉱型層とでなる超格子構造にアクセプタ不純物を添加したp型伝導性薄膜層をその構造に含むことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 29/04
