特許
J-GLOBAL ID：200903066925936371
半導体リレー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-166739
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017214
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 温度上昇による損傷を防止する。【解決手段】 入力信号に応じて発光する発光素子1 と、発光素子1 の光を受光して光起電力を発生する受光素子2 と、受光素子2 により発生された光起電力が印加して充電されて低インピーダンス状態に変化する出力用MOSFET3 と、出力用MOSFETの充放電を制御する制御手段40と、を備えた半導体リレーにおいて、抵抗値の温度係数が互いに異なることにより温度上昇とともに電位が高くなる接続点でもって接続された第1及び第2の抵抗4,5 と、出力用MOSFET3 のゲートソース間に入出力端子が接続されるとともに第1及び第2の抵抗4,5 の接続点に接続された制御端子の電位が所定電位よりも高くなると導通状態になる加熱保護用トランジスタ8 と、が設けられた構成にしてある。
請求項（抜粋）：
入力信号に応じて発光する発光素子と、発光素子の光を受光して光起電力を発生する受光素子と、受光素子により発生された光起電力が印加して電荷が充電されることによりゲートソース間電圧がしきい値を超えるとドレインソース間が高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変化する出力用MOSFETと、出力用MOSFETのゲートソース間に接続され受光素子による光起電力の発生時に高インピーダンス状態になるとともに光起電力の消失時に低インピーダンス状態になる制御用トランジスタを含み出力用MOSFETにおける電荷の充放電を制御する制御手段と、を備えた半導体リレーにおいて、抵抗値の温度係数が互いに異なることにより温度上昇とともに電位が高くなる接続点でもって接続された第1及び第2の抵抗と、前記出力用MOSFETのゲートソース間に入出力端子が接続されるとともに第1及び第2の抵抗の接続点に接続された制御端子の電位が所定電位よりも高くなると導通状態になる加熱保護用トランジスタと、が設けられたことを特徴とする半導体リレー。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/12 F
, H01L 23/56 A
