特許

J-GLOBAL ID：200903066925971533

不揮発性メモリの製造方法

発明者： 山内 祥光
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073603
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115143
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 基板に損傷を与えることなく微細なメモリセルを効率よく製造することができる不揮発性メモリの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 (i) 半導体基板1上に第1ゲート絶縁膜2を介して第1電極3を形成する工程、(ii) 第1電極3の一端部をマスクし、他方へイオン注入する工程、(iii)第1電極3上に第2ゲート絶縁膜2を形成し、さらにその全面に導電膜8を堆積する工程、 (iv) 導電膜8を介してイオン注入を行う工程、(v)導電膜8をパターニングし、第2電極15とする工程を有する不揮発性メモリの製造方法。

請求項（抜粋）：

(i) 半導体基板上に第1ゲート絶縁膜を介して第1電極を形成する工程、(ii) 前記第1電極の一端部をマスクし、他方へイオン注入する工程、(iii)前記第1電極上に第2ゲート絶縁膜を形成し、さらにその全面に導電膜を堆積する工程、(iv) 前記導電膜を介してイオン注入を行う工程、(v)該導電膜をパターニングし、第2電極とする工程を有することを特徴とする不揮発性メモリの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792