特許

J-GLOBAL ID：200903066946247266

化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法

発明者： 平野 博之
出願人/特許権者： 東洋炭素株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-340993
公開番号（公開出願番号）：特開平8-188408
出願日： 1994年12月29日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、き裂や反りを抑えたCVD-SiC成形体及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、CVD法により形成されたSiC基板の両面に、SiC膜を有する、CVD法によるSiC成形体である。また、その製造方法は、基体の表面にCVD法によりSiC膜を形成し、前記基体を除去して得られたSiC基板の両面に、更にSiC膜を形成することを特徴とする、CVD法によるSiC成形体の製造方法である。

請求項（抜粋）：

化学蒸着法により形成された炭化ケイ素基板の両面に、炭化ケイ素膜を有する、化学蒸着法による炭化ケイ素成形体。

IPC (8件)：

C01B 31/36 ,  B01J 19/00 ,  C04B 35/565 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205