特許
J-GLOBAL ID:200903066946878657

電着された銅箔およびこれを低塩素イオン濃度の電解質溶液を用いて製造する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-020836
公開番号(公開出願番号):特開2001-247994
出願日: 1991年05月24日
公開日(公表日): 2001年09月14日
要約:
【要約】【課題】 180°Cで測定したときの伸び率が約5.5%を越え、23°Cで測定したときの最大引張強度が約60,000psiを越え、そして、マット側のRtmが約4.5から約18μmの範囲である電着銅箔、を得ること。【解決手段】 次の工程を包含する電着銅箔の製造方法により上記課題が達成される:水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、約20ppm未満の塩素イオンを含有する銅析出浴を調製すること;および上記浴に、1平方フィートあたり約200から3000アンペアの割合の電流密度で電流を付与して上記浴から銅を電着させること。
請求項(抜粋):
180°Cで測定した伸び率が5.5%より大きく、23°Cで測定した最大引張強度が60,000psiより大きく、およびマット側のRtmが4.5から18μmの範囲である、電着された銅箔。
IPC (3件):
C25D 7/06 ,  C25D 3/38 101 ,  H05K 1/09
FI (3件):
C25D 7/06 A ,  C25D 3/38 101 ,  H05K 1/09 A
引用特許:
審査官引用 (12件)
  • 特開昭63-310989
  • 特開昭63-024088
  • 特開昭63-310989
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