特許
J-GLOBAL ID:200903066955142884

基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉谷 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-158441
公開番号(公開出願番号):特開平11-008289
出願日: 1997年06月16日
公開日(公表日): 1999年01月12日
要約:
【要約】【課題】 吸着面における吸引の悪影響を防止することにより、搬送時の反りを抑制してパターンの破壊や基板の破損を防止することができる。【解決手段】 真空ポンプ19の動作を停止し、操作三方弁17を大気側に切り換えて吸引通路1bをほぼ大気圧としてから操作弁15を閉止する。次に、搬送機構23を基板Wの直下に移動させて上昇させ、支持面23cに基板Wが当接するまでに加圧機構21を作動させる。これにより吸引通路1bの圧力が大気圧より高くされ、吸引通路1bの流路抵抗を極めて小さくできる。したがって、吸着面1aに吸引力が生じることを防止でき、基板Wの反りを防止して破損を防止できる。
請求項(抜粋):
基板保持手段に形成されている吸着面に連通した吸引通路を吸引して基板を吸着保持した状態で処理を施し、前記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手段を吸着面より高い位置に相対移動させることにより前記基板保持手段から基板を離間させて前記搬送手段に搬送する基板処理装置において、前記吸引通路内の圧力を高める加圧手段を備え、前記搬送手段を前記吸着面よりも高い位置に相対移動させる際に、前記加圧手段を作動させるようにしたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/68 ,  B05C 11/08 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027
FI (6件):
H01L 21/68 P ,  H01L 21/68 A ,  B05C 11/08 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 564 C ,  H01L 21/30 569 C

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