特許

J-GLOBAL ID：200903066957877571

シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜および半導体装置

発明者： 島村 泰夫 ,  森嶋 浩之 ,  山本 靖浩
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322227
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176510
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置等に適用可能な低温硬化のシリカ系被膜の製造法を提供する。【構成】【化1】(式中R1、R2及びR3は水素または炭素数1〜3のアルキル基を示し、nは整数を示す)で表されるポリシラザン化合物を水を含む雰囲気下で硬化させるシリカ系被膜の製造法、この製造法により得られたシリカ系被膜およびこの被膜を用いた半導体装置。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中R1、R2及びR3は水素または炭素数1〜3のアルキル基を示し、nは整数を示す)で表されるポリシラザン化合物を水を含む雰囲気下で加熱硬化させることを特徴とするシリカ系被膜の製造法。

IPC (3件)：

C09D183/16 PMM ,  C08G 77/62 NUM ,  H01L 21/768