特許
J-GLOBAL ID：200903066958470033
強誘電体薄膜素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-043507
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260018
出願日： 1993年03月04日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 焦電型赤外線センサ・圧電応用素子・電気光学素子等に用いられる、ガラス・メタル・Si等の基板上に結晶配向したチタン酸鉛系・ジルコン酸鉛系・チタン酸バリウム系の強誘電体薄膜とその製造方法を提供することである。【構成】 本発明は、基板とその上に形成した結晶性中間層とさらにその上に形成した結晶配向強誘電体薄膜よりなる構成で、作製する強誘電体薄膜とのミスフィットの小さい中間層と任意の熱膨張係数を有する基板により、結晶性のよい配向性強誘電体薄膜を有する素子であり、例えば、基板上に、有機金属錯体蒸気を原料ガスとするプラズマ励起MOーCVD法により(100)面配向のNaCl型酸化物薄膜を形成し、さらにその上にスパッタ法により(001)面配向のペロブスカイト型酸化物PbTiO3の強誘電体薄膜を形成することで製造される。
請求項（抜粋）：
基板と、その上に形成された結晶性中間層と、さらにその上に形成された<001>方向に配向した強誘電体薄膜とからなり、前記基板の室温から前記強誘電体薄膜の作製時の温度までの熱膨張係数が、70×10<SP><HAN>ー</HAN>7</SP>/°C以上であり、前記強誘電体薄膜の作製時の温度で前記中間層と前記強誘電体薄膜との格子定数のミスフィットが15%以内であることを特徴とする強誘電体薄膜素子。
IPC (3件)：
H01B 3/00
, C03C 17/245
, C03C 17/34
