特許

J-GLOBAL ID：200903066960161730

堆積膜形成装置

発明者： 土田 伸史 ,  橋爪 淳一郎 ,  植田 重教
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320687
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176832
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【目的】 周波数20MHz乃至450MHzの高周波電力を印加することによりグロー放電を生じさせるプラズマCVD法による堆積膜形成装置において、従来のプラズマプロセスでは達成できなかった堆積速度で比較的大面積の基体に均一に良質な特性を有する膜を作製し、且つ、膜剥がれを低減して生産性の効率化、コストダウンが行えることが可能な装置を提供するとを目的とする。【構成】 減圧可能な堆積室内に、円筒状の被成膜基体と、それを外包するカソード電極と該カソード電極を外包する外部シールドと、整合回路を有し、放電周波数が20MHz乃至450MHzの高周波電力でカソード電極と被成膜基体との間にプラズマを発生させるCVD法による堆積膜形成装置において、カソード電極近傍にコンデンサを設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

減圧可能な堆積室内に設置された円筒状の被成膜基体と、それを外包するように配置されたカソード電極と、前記カソード電極を外包するように配置された外部シールドと、前記外部シールドの外部に整合回路とを有し、放電周波数が20MHz乃至450MHzの高周波電力を前記整合回路を介して前記カソード電極に印加することによって前記カソード電極と前記円筒状の被成膜基体との間にプラズマを発生させることにより、前記堆積室内に導入された原料ガスを分解して前記円筒状の被成膜基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜形成装置において、前記カソード電極の周方向の複数箇所に前記高周波電力を前記整合回路を介して供給し、且つ前記整合回路から前記カソード電極までの複数の配線が、前記整合回路から前記外部シールドの外側を通り、且つ前記外部シールドから前記カソード電極までの配線が最短距離になるように前記カソード電極の接続部に接続され、且つ前記カソード電極の接続部と前記外部シールドとの間にコンデンサを設けたことを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (6件)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 301 ,  G03G 5/08 311 ,  G03G 5/08 331 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205