特許
J-GLOBAL ID：200903066966007601
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338429
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188509
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 光ファイバジャイロ等の光源として用いる高出力で、低電流動作のスーパールミネッセントダイオードおよび、その製造方法を提供する。【構成】 活性層となるGa1-XAlXAs層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のGa1-Y1AlY1As第一光ガイド層、Ga1-Y2AlY2As第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するGa1-ZAlZAs層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のGa1-Y3AlY3As層を備えており、AlAs混晶比、X,Y1,Y2,Y3およびZの間に、Z>Y3>Y2>X≧0,Y1>Y2の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が3度から15度の角度を有する。
請求項（抜粋）：
活性層となるGa1-XAlXAs層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のGa1-Y1AlY1As第一光ガイド層、Ga1-Y2AlY2As第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するGa1-ZAlZAs層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のGa1-Y3AlY3As層を備えており、AlAs混晶比、X,Y1,Y2,Y3およびZの間に、Z>Y3>Y2>X≧0,Y1>Y2の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が3度から15度の角度を有することを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
前のページに戻る
