特許
J-GLOBAL ID：200903066966827218
電界効果トランジスタ増幅器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-158308
公開番号（公開出願番号）：特開平5-014080
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 入出力反射特性を劣化させずに帯域を変化できる電界効果トランジス(以下、FETと呼ぶ)増幅器を得ることを目的とする。【構成】 ソ-ス接地されたFET1と入力整合回路12と出力整合回路13とからなるFET増幅器において、上記FET1のゲ-ト端子Gと接地間及びドレイン端子Dと接地間にそれぞれ容量可変のキャパシタ,インダクタ,抵抗よりなる直列回路を設け、さらに上記FETのゲ-ト端子と入力整合回路間及びドレイン端子と出力整合回路間にそれぞれ容量可変のキャパシタ、インダクタよりなる直列回路を設けて構成したことを特徴とするFET増幅器。
請求項（抜粋）：
ソ-ス接地された電界効果トランジスタと入力整合回路と出力整合回路とを有する電界効果トランジスタ増幅器において、上記電界効果トランジスタのゲ-ト端子と接地間及びドレイン端子と接地間に、容量可変のキャパシタ,インダクタ,抵抗よりなる直列回路をそれぞれ設け、さらに上記電界効果トランジスタのゲ-ト端子と入力整合回路間及びドレイン端子と出力整合回路間に、容量可変のキャパシタ,インダクタよりなる直列回路をそれぞれ設けて構成したことを特徴とする電界効果トランジスタ増幅器。
IPC (3件)：
H03F 3/60
, H03F 1/42
, H03F 3/191
