特許

J-GLOBAL ID：200903066969928007

SrLnGaO4基板上の膜作製方法

発明者： 向田 昌志 ,  宮澤 信太郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255605
公開番号（公開出願番号）：特開平10-101488
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【課題】 酸素雰囲気中においても、SrLnGaO4基板上に凹凸が発生しないSrLnGaO4基板上の膜作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 SrLnGaO4が保持する酸素量が薄膜作製条件●のときに基板内に保持されている酸素量と同一となる温度及び酸素条件である補助線1を引き、SrLnGaO4が保持する酸素量が単結晶育成条件▲のときに基板内に保持されている酸素量と同一となる温度及び酸素条件である補助線2を引く。そして、SrLnGaO4単結晶の保持酸素量を低下させることのない酸素圧力を有する酸素雰囲気中、すなわち、領域Aの条件にて、SrLnGaO4単結晶形成後の徐冷工程と基板形成工程と薄膜成長工程とを行うことにより、酸素の放出吸入を少なくすることができ、基板の表面凹凸の発生を抑止することができる。

請求項（抜粋）：

SrLnGaO4(Ln:Y またはランタニド元素)単結晶を育成する単結晶育成工程と、前記SrLnGaO4単結晶を酸素雰囲気中で徐冷する徐冷工程と、前記SrLnGaO4単結晶から基板を形成する基板形成工程と、前記基板上に酸化物薄膜を成長させる酸化物薄膜成長工程とを備えるSrLnGaO4基板上の膜作製方法において、前記SrLnGaO4単結晶中の酸素量が前記酸化物薄膜を成長させる条件下で前記SrLnGaO4単結晶中に保持されている酸素量と同一になる前記酸素雰囲気の酸素圧力と前記基板の温度の第1の関係を決定し、決定された前記第1の関係を有し、且つ、前記酸化物薄膜を成長させる条件の温度値以上の温度を有する酸素雰囲気中、または、前記第1の関係より高圧及び低温であり、且つ、前記酸化物薄膜を成長させる条件の温度値以上の温度を有する酸素雰囲気中にて、前記徐冷工程と前記基板形成工程と前記酸化物薄膜成長工程とを行うことを特徴とするSrLnGaO4基板上の膜作製方法。

IPC (4件)：

C30B 29/22 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (4件)：

C30B 29/22 Z ,  C30B 29/22 501 J ,  H01L 39/02 ZAA W ,  H01L 39/24 ZAA B