半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172400
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021236
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するもので、高い信頼性を有する、接続孔における配線を提供することを目的とする。【構成】下層膜であるTi膜17と、Siを不純物として含んだAl合金膜19とからなる配線構造において、Al合金膜19の下地にアモルファスSi膜18を有することを特徴とする。【効果】配線形成後の熱処理工程において、AlとTiとSiの反応によりAl-Ti-Si化合物が生成され、Siが消費されても、アモルファスSi膜とAl合金膜が反応することによりSiがAl合金膜中に拡散するため、Al合金膜中のSiが消失することを防止することができる。したがって、接合リークを引き起こすことなく、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションによる、接続孔における配線の断線不良を防止することが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜上に形成された配線を有する半導体装置において、前記配線が、シリコンを不純物として含んだアルミニウム合金膜と、前記アルミニウム合金膜の下地に形成されたアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜の下地に形成されたチタン膜とを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/88 R

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