特許

J-GLOBAL ID：200903066974576658

リフロー基板加熱方法とその装置

発明者： 谷口 昌弘 ,  永井 耕一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-195793
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016352
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 昇温しにくい部品と熱に弱い部品を一括してリフロー半田付けできるリフロー基板加熱方法とその装置を提供する。【解決手段】 電子部品2、4が搭載されかつ接合箇所にクリーム半田が付与された基板をリフロー半田付けするリフロー基板加熱方法において、搬送部5にて連続的に搬送される基板1を、炉体部3にて全体を均一に加熱すると共に、基板1の特定被加熱部分に、加熱促進ノズル部8により雰囲気温度とほぼ同温度のガスを局所的に吹き付ける。

請求項（抜粋）：

電子部品が搭載されかつ接合箇所にクリーム半田が付与された基板をリフロー半田付けするリフロー基板加熱方法において、搬送部にて連続的に搬送される基板を、炉体部にて全体を均一に加熱すると共に基板の特定被加熱部分に、雰囲気温度とほぼ同程度のガスを局所的に吹き付けることを特徴とするリフロー基板加熱方法。

IPC (7件)：

H05K 3/34 507 ,  H05K 3/34 ,  B23K 1/00 330 ,  B23K 1/008 ,  B23K 31/02 310 ,  B23K 31/02 ,  B23K101:42

FI (8件)：

H05K 3/34 507 G ,  H05K 3/34 507 C ,  H05K 3/34 507 K ,  B23K 1/00 330 E ,  B23K 1/008 C ,  B23K 31/02 310 F ,  B23K 31/02 310 B ,  B23K101:42

Fターム (11件)：

5E319AA03 ,  5E319AC01 ,  5E319BB05 ,  5E319CC36 ,  5E319CC49 ,  5E319CC58 ,  5E319CD29 ,  5E319CD35 ,  5E319GG11 ,  5E319GG15 ,  5E319GG20