特許
J-GLOBAL ID：200903066975651491
超高真空用永久磁石およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-354671
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180921
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 被膜の密着性に優れ、緻密で、磁石体からのガス発生、放出を防止でき、1×10-9Pa以下の超高真空雰囲気のアンジュレーター等に使用可能な高磁気特性を有した超高真空用永久磁石の提供。【解決手段】 Fe-B-R系永久磁石体表面をイオンスパッター法等により清浄化した後、前記磁石体表面にイオンプレーティング法等の薄膜形成法によりTi被膜を形成後、特定条件のArガスとN2ガスとの混合ガスを導入しながらイオンプレーティング等の薄膜形成法を行って、前記Ti被膜表面に順次N濃度が増加するN拡散層を形成後、N2ガス中にてイオン反応プレーティング等の薄膜形成法を行って、TiN被膜を形成することにより、磁石に付着あるいは吸蔵するガスの発生を防止することができ、磁石の有する高磁気特性を有効に利用できる。
請求項（抜粋）：
主相が正方晶相からなるFe-B-R系永久磁石体表面に、膜厚0.1μm〜5.0μmのTi被膜を介して膜厚0.5μm〜10μmにTiN被膜層が形成され、前記Ti被膜面に磁石体側よりTiN被膜層に向かってN2濃度が連続的に増加する膜厚0.05μm〜2.0μmのN拡散層(組成TiNx)を有することを特徴とする超高真空用永久磁石。
IPC (6件)：
H01F 1/08
, B22F 3/00
, C23C 22/78
, C23C 28/00
, C23C 30/00
, H01F 41/02
H01F 1/08 A
, B22F 3/00
, C23C 22/78
, C23C 28/00 B
, C23C 30/00 A
, H01F 41/02 G
